Anisotropía desafiando la simetría cristalina

Mucho se puede comprender sobre las propiedades de un material con solo analizar la simetría de su estructura cristalina, con herramientas de teoría de grupos. Las conclusiones de tal análisis de un material dado se asumen también para sus aleaciones, pero no está claro que esto sea cierto cuando la distribución de las constituyentes añadidos a la aleación no son estrictamente aleatorios. Un ejemplo es el semiconductor magnético diluido (Ga,Mn)As, que exhibe una anosotropía magnetocristalina en el plano, incluso aunque la simetría de la estructura en red del GaAs no lo permita.

El equipo de investigadores de la Universidad de Warsaw, Polonia, han publicado los cálculos mostrando que una distribución no aleatoria de los iones magnéticos en el semiconductor magnético diluido (Ga,Mn)As puede de hecho, explicar la anisotropía observada. Con la ayuda de predicciones cuantitativas a partir de cálculos ab initio y análisis de simetría, han mostrado que la desconcertante anisotropía está causada por la formación preferente de dimeros de manganeso a lo largo de una dirección cristalina específica en la superficie creciente.

Este trabajo sugiere que la anisotropía magnética podría controlarse variando el crecimiento capa por capa del material. En términos más generales, los investigadores han mostrado como una distribución microscópica específica puede afectar, en formas que van mas allá del análisis de teoría de grupos.

Via physics.aps