Investigadores de la NCSU han desarrollado una nueva técnica de procesamiento que hace que los diodos emisores de luz sean más brillantes y resistentes cubriéndolos con material semiconductor nitruro de galio(GaN) con una capa de ácido de fósforo derivado.
Mediante el recubrimiento de GaN polar con una capa auto-montable de los grupos fosfónico, los investigadores fueron capaces de incrementar la luminiscencia sin incrementar el aporte de energía. Los grupos fosfónicos también mejoran la estabilidad, haciendo el GaN menos propenso a degradarse en solución. Hacer que el GaN sea más estable es importante, ya que lo hace más viable para ser usado en aplicaciones biomédicas, tales como sensores implantables.
Los investigadores comenzaron con GaN polar, compuesto por capas alternas de galio y nitrógeno. Para incrementar la luminiscencia, que graban la superficie del material con ácido fosfórico. Al mismo tiempo, añadieron grupos fosfónicos, moléculas orgánicas que contienen fósforo, que se automontan en una monocapa en la superficie del material. Esta capa aumentó aún más la luminiscencia y mejoró la estabilidad de la GaN por lo que es menos probable que reaccionen químicamente con su entorno.
Via
NCSU
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